本书是固态电子器件的教材，全书分为固体物理基础和半导体器件物理两大部分，共10章。章至第4章介绍半导体材料及其生长技术、量子力学基础、半导体能带以及过剩载流子。第5章至0章介绍各种电子器件和集成电路的结构、工作原理以及制造工艺等，包括：p-n结、金属-半导体结、异质结；场效应晶体管；双极结型晶体管；光电子器件；高频、大功率及纳电子器件。第9章使用较大篇幅介绍CMOS制造工艺，从器件物理角度介绍SRAM、DRAM、CCD、闪存等集成器件的结构和工作原理。本书的器件种类基本涵盖了所有的器件大类，反映了现代电子器件的基础理论、工作原理、二级效应以及发展趋势。各章均给出小结，并附有习题、参考读物和自测题。

Ben G . Streetman 美国得克萨斯大学奥斯汀分校Cockrell工程学院名誉院长，电子与计算机工程名誉教授和Dula D. Cockrell主席(Centennial Chair)。长期从事半导体材料与器件的教学和科研工作。获得的荣誉主要有：电子与电气工程师学会(IEEE)教育奖、美国工程教育协会(ASEE)Frederick Emmons Terman奖、化合物半导体国际会议Heinrich Welker奖。是美国国家工程院院士和美国艺术与科学院院士，同时也是IEEE和电化学协会会士。

Sanjay K. Banerjee现任美国得克萨斯大学奥斯汀分校电子与计算机工程首席教授、微电子研究中心主任。发表了900多篇被引论文和会议论文，拥有30项美国专利，指导过50多名博士研究生。获得(美国)国家自然科学基金总统青年探索者奖、IEEE Andrew S. Grove奖等多个奖项和荣誉。是IEEE、APS和AAAS会士。